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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
36
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2865
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
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