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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
50
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2393
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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