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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
64
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GET.4010C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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