RAM-Vergleich Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Gesamtnote

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 36

Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

18.1 14.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.0 9.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 12800

Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2292 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns