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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
57
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
2037
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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