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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
61
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,077.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2235
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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