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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
61
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,077.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2388
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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