RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
54
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3655
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link