RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
54
Rund um -74% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3755
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link