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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2930
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
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