RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2588
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link