RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
55
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2457
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link