RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
58
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2025
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link