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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
55
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
2653
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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