RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
54
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
1773
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link