RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
54
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3143
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link