RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Gesamtnote
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,480.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.2
13.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
no data
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2918
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link