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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
2898
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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