RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
3181
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link