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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
72
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3434
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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