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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
72
Rund um -213% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3011
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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