RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
72
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2562
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link