RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
72
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
14.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3593
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link