RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
72
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2301
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link