RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
72
Rund um -177% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.3
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
5.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
1884
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link