RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
72
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
3036
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link