RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
72
Rund um -227% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2623
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link