RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
72
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2909
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link