RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
72
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2271
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link