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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
72
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2377
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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