RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
72
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2907
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM-Vergleiche
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link