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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
72
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,938.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
72
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.7
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
677
2641
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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