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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
64
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3279
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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