RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
64
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
15.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3655
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link