RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
64
Rund um -191% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2648
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link