RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
64
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3535
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link