RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
64
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
3288
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link