RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
64
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,256.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2601
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link