RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
64
Rund um -129% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
2527
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link