Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Gesamtnote
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 10.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    53 left arrow 64
    Rund um -21% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.7 left arrow 2,256.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    64 left arrow 53
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,651.3 left arrow 10.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,256.8 left arrow 7.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    837 left arrow 2356
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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