RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
67
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,256.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,651.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,256.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
837
1798
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link