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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2037
2243
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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Kingston 9905701-004.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
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