RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3754
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link