RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
42
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3800
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link