RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
42
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
15.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3593
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link