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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
6.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2117
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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