RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2786
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link