RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
2773
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
INTENSO 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP564U64CP8-C4 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link