RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
42
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3929
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link