RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
42
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1396
3310
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link